如图所示,相距为d的两水平直线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L
来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:物理作业 时间:2024/11/09 00:42:53
如图所示,相距为d的两水平直线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d ),质量为m.总电阻为R 将线框在磁场上方ab边距L1为h处由静止开始释放,ab边进入磁场时速度与刚穿出磁场时速度相同
求ab边刚进入磁场时ab两端的电势差
ab边刚进入磁场时线框加速度的大小和方向
整个线框进入磁场过程所需的时间
求ab边刚进入磁场时ab两端的电势差
ab边刚进入磁场时线框加速度的大小和方向
整个线框进入磁场过程所需的时间
(1)、对于线框,由静止下落到ab刚进入磁场过程,由机械能守恒得
mgh=1/2mv2
由法拉第电磁感应定律得E=BLV
ab两端电势差U=3/4E
由以上三式可得U=3/4BL根号下2gh
(2)、线框完全进入磁场后,只在重力作用下加速,要满足“ab边进入磁场时速度与刚穿出磁场时速度相同”,则线框进入磁场过程必须减速,加速度方向向上.
由牛顿第二定律:F安-mg=ma
而 F安=BIL
E=IR
由以上各式可得a=B2L2根号下2gh/(mR)
(3)、线框完全进入磁场到ab边刚穿出磁场过程,由动能定理得:mg(d-L)=1/2mv2-1/2mv'2
ab边刚进入磁场到线框完全进入磁场到过程,由动量定理得:F安t-mgt=mv-mv'
而 F安t=BILt=BELt/R=B2L3/R(虽然F安是变力,但是瞬时力与微小时间乘积的累积对应的是磁通量的变化量)
由以上各式可得:t=B2L3/mgR+根号下2(h+L-d)/g-根号下2h/g
mgh=1/2mv2
由法拉第电磁感应定律得E=BLV
ab两端电势差U=3/4E
由以上三式可得U=3/4BL根号下2gh
(2)、线框完全进入磁场后,只在重力作用下加速,要满足“ab边进入磁场时速度与刚穿出磁场时速度相同”,则线框进入磁场过程必须减速,加速度方向向上.
由牛顿第二定律:F安-mg=ma
而 F安=BIL
E=IR
由以上各式可得a=B2L2根号下2gh/(mR)
(3)、线框完全进入磁场到ab边刚穿出磁场过程,由动能定理得:mg(d-L)=1/2mv2-1/2mv'2
ab边刚进入磁场到线框完全进入磁场到过程,由动量定理得:F安t-mgt=mv-mv'
而 F安t=BILt=BELt/R=B2L3/R(虽然F安是变力,但是瞬时力与微小时间乘积的累积对应的是磁通量的变化量)
由以上各式可得:t=B2L3/mgR+根号下2(h+L-d)/g-根号下2h/g
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B;一正方形线框abcd边长为
12.如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方形线圈abcd边长为L
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L
如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方行线圈abcd边
相距为d的两水平虚线P1,P2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界,磁场的磁感应强度为B.
如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.
边长为L的正方形闭合金属线框,其质量为m,回路电阻为R.图中MNP为磁场区域的边界,上下两部分水平匀强磁场的磁感应强度大
如图所示,虚线方框中是磁感应强度为B的匀强磁场区,磁感应强度方向垂直纸面向里,边长为L的正方形导线框abcd以角速度绕O
(2010•韶关一模)两个沿水平方向且磁感应强度大小均为B的有水平边界的匀强磁场,如图所示,磁场高度均为L.一个框面与磁
如图所示,水平放置的两平行金属板之间电压为U、相距为d,板间存在感应强度为B的匀强磁场,
空间有一个水平向里有边界的匀强磁场,磁场强度为B,如图所示,一个刚性正方形线圈,质量为m,电阻为R,边长为l,从磁场上方