如何使半导体的导带发生能级简并?发生能级简并时有哪些伴生现象?如何检测?
来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:物理作业 时间:2024/10/06 02:21:02
如何使半导体的导带发生能级简并?发生能级简并时有哪些伴生现象?如何检测?
我认为当导带上电子数量明显增多时,至少应该发上导带位置的负移,能否发生能级简并暂时无法推断,有什么方法能证明确实发生了或没发生能级简并吗?发生能级简并时有哪些伴生现象呢?
我认为当导带上电子数量明显增多时,至少应该发上导带位置的负移,能否发生能级简并暂时无法推断,有什么方法能证明确实发生了或没发生能级简并吗?发生能级简并时有哪些伴生现象呢?
什么叫做导带能级简并?导带本身就是一连串准连续的能级组成的,你想要简并成什么程度?变成一个能级?不可能,除非只有一个孤立原子,且核外只有一个价电子,考虑自旋,此时能级就只有两个,如果考虑内层电子对价电子的影响,又可以继续劈裂,如果再引入外部磁场作用,又会劈裂,考虑其他外力作用等,又可以继续劈裂.
如果有多个原子,本身价电子直接就有相互作用,导带能级天然就不可能是简并的,一般晶体中都有大量价电子,也就形成准连续的能级,称为能带,导带是能带的一种.
如果施加外力,只会使能级劈裂得更多,不会简并.
对问题补充的回答:
“当导带上电子数量明显增多时,至少应该发上导带位置的负移”~~~你推导试试~~貌似不是一件容易的事吧~~我对你这个结论表示怀疑~
现在的理论认为,由于导带上的电子本来就是极少量的(相对于价电子总数而言,举个例子,本征Si,具体数字我不去查了,估算,载流子浓度10的10次方每平方厘米,但价电子浓度10的23次方每平方厘米,相差13个数量级),全部集中在导带底附近,基本上可以用导带底的一个能级代替所有导带电子的能级,虽然能级是分立的,但由于相差很小,实际计算中是看成一个的,但并不能说能级就是简并的~
即使通过掺杂等方法使载流子浓度大几个数量级,也是远远低于价电子浓度的,而计算能级是所有电子都需要考虑进去,相互耦合的结果,少量的导带电子数量的变化对于能带位置而言,影响微乎其微,可以忽略不计.
至于检验能级简并,常用的手段有
1辐射吸收,看光谱
2磁场耦合,看电子束分裂
个人感觉,是没法检验导带电子能级变化的,因为实在是变化太小了,精度跟不上
如果有多个原子,本身价电子直接就有相互作用,导带能级天然就不可能是简并的,一般晶体中都有大量价电子,也就形成准连续的能级,称为能带,导带是能带的一种.
如果施加外力,只会使能级劈裂得更多,不会简并.
对问题补充的回答:
“当导带上电子数量明显增多时,至少应该发上导带位置的负移”~~~你推导试试~~貌似不是一件容易的事吧~~我对你这个结论表示怀疑~
现在的理论认为,由于导带上的电子本来就是极少量的(相对于价电子总数而言,举个例子,本征Si,具体数字我不去查了,估算,载流子浓度10的10次方每平方厘米,但价电子浓度10的23次方每平方厘米,相差13个数量级),全部集中在导带底附近,基本上可以用导带底的一个能级代替所有导带电子的能级,虽然能级是分立的,但由于相差很小,实际计算中是看成一个的,但并不能说能级就是简并的~
即使通过掺杂等方法使载流子浓度大几个数量级,也是远远低于价电子浓度的,而计算能级是所有电子都需要考虑进去,相互耦合的结果,少量的导带电子数量的变化对于能带位置而言,影响微乎其微,可以忽略不计.
至于检验能级简并,常用的手段有
1辐射吸收,看光谱
2磁场耦合,看电子束分裂
个人感觉,是没法检验导带电子能级变化的,因为实在是变化太小了,精度跟不上
简并能级的理解
为什么硅原子中原子能级就3个,其中各能级又包括很多简并能级,形成能带,最外层能带为价带,导带的那个能
为什么束缚态的能级是非简并的?
如何解释同一电子层的能级分裂和不同电子层中的能级交错现象?
量子力学中既有简并又有非简并的能级近似怎么求.
求助一道量子力学中关于能级简并度的题
能不能举个例子来说明量子态、简并度、能级以及它们的关系?
地震发生时有哪些现象
那些元素的原子会发生能级交错,除了3d,4s还发生在哪些亚层里
什么叫“能级”“能量简并度““粒子分布数”和“量子态数目”?
氢原子在发生能级跃迁是由低能级(即基态)向高能级跃迁时会不会发生光...
为什么只有光子的能量恰好等于能级间的能量差时才能发生能级间跃迁