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说明半导体硅中长纵声波是怎样对电子产生散射作用的

来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:物理作业 时间:2024/09/02 20:35:36
说明半导体硅中长纵声波是怎样对电子产生散射作用的
固体物理中的
该怎么回答呀
长纵声学波传播时荷气体中的声波类似,会造成原子分布的疏密变化,产生体变,即疏处体积膨胀,密处压缩.在一个波长中,一半处于压缩状态,一半处于膨胀状态,这种体变表示原子间距的减小或增大.由第一章知道,禁带宽度随原子间距变化,疏处禁带宽度减小,密度增大,使能带结构发生波形起伏.禁带宽带的改变反映出导带底和价带顶的升高和降低,引起能带极值的改变.这时,同是处于导带底和价带顶的电子或空穴,在半导体的不同地点,其能量就有差别.所以,纵波引起的能带起伏,就其对载流子的作用讲,如同产生了一个附加势场,这一附加势场破坏了原来势场的严格周期性,就使电子从K状态散射到K状态.