栅极的电压大于源极电压时,则源极电压与漏极电压相同,及三极管导通.如果这样的话,当在二进制电路中,若栅极电压和源极电压都
来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:物理作业 时间:2024/10/01 20:33:11
栅极的电压大于源极电压时,则源极电压与漏极电压相同,及三极管导通.如果这样的话,当在二进制电路中,若栅极电压和源极电压都是高电压,因为栅极电压和源极电压都是1啊?
你说的MOSFET吧~?你要是在栅极和源极都加的高电平肯定不导通啊~
再问: 对,我说的是mos管,但是老师说当栅极的高电压会稍微比1高一些,不是准确的1,这个理解对不对啊?
再答: 我没听懂你说的啥意思~即使栅源极电压大于0,也只是形成一个电场而已,Vgs只有大于一个定值时才会产生漏极电流,管子导通。你老师和你讲的时候说的什么啊~?
再问: 是这样,我是学软件的,我们这个课时计算机组成原理。老师给我们讲的静态RAM中的mos管(半导体三极管)的工作原理是:当栅极电压>源极电压时,漏极电压和栅极电压相等,即三极管导通。这个对么?然后我想问:既然这样,那么假设是栅极电压为高(为1),源极电压为1时,那么漏极电压不会为1,也就是不导通。。。但老师说,栅极电压高电平会比1稍大,能够导通。这对么?我有点糊涂~
再答: 关于工作原理:Vgs一般在2-4v左右时,mos导通,导通后必然Vd=Vs;假如漏源极之间有电压V0,不管V0为何值,只要Vgs=0,漏源极之间都有反偏的PN结,所以是不导通的。所以假设条件Vg=Vs=1,mos肯定是不导通的。至于你说的栅极电压高电平会比1大,我想你老师应该说的是不是在栅极加2位的信号,我学电气的对弱电这方面不是很擅长,你可以问问栅极这个高电平是什么意思。不过我觉得你只要把mos管得基本原理弄清楚了,也就是它的导通条件弄清楚,问题就不这么难了。
再问: 谢谢,btw:神马是Vgs Vg Vd Vs啊,不懂~~
再答: g表示栅极,s表示源极,d表示漏极。Vgs是栅源极间的电压,Vg是栅极电压,Vd是漏极电压,Vs是源极电压。
再问: 对,我说的是mos管,但是老师说当栅极的高电压会稍微比1高一些,不是准确的1,这个理解对不对啊?
再答: 我没听懂你说的啥意思~即使栅源极电压大于0,也只是形成一个电场而已,Vgs只有大于一个定值时才会产生漏极电流,管子导通。你老师和你讲的时候说的什么啊~?
再问: 是这样,我是学软件的,我们这个课时计算机组成原理。老师给我们讲的静态RAM中的mos管(半导体三极管)的工作原理是:当栅极电压>源极电压时,漏极电压和栅极电压相等,即三极管导通。这个对么?然后我想问:既然这样,那么假设是栅极电压为高(为1),源极电压为1时,那么漏极电压不会为1,也就是不导通。。。但老师说,栅极电压高电平会比1稍大,能够导通。这对么?我有点糊涂~
再答: 关于工作原理:Vgs一般在2-4v左右时,mos导通,导通后必然Vd=Vs;假如漏源极之间有电压V0,不管V0为何值,只要Vgs=0,漏源极之间都有反偏的PN结,所以是不导通的。所以假设条件Vg=Vs=1,mos肯定是不导通的。至于你说的栅极电压高电平会比1大,我想你老师应该说的是不是在栅极加2位的信号,我学电气的对弱电这方面不是很擅长,你可以问问栅极这个高电平是什么意思。不过我觉得你只要把mos管得基本原理弄清楚了,也就是它的导通条件弄清楚,问题就不这么难了。
再问: 谢谢,btw:神马是Vgs Vg Vd Vs啊,不懂~~
再答: g表示栅极,s表示源极,d表示漏极。Vgs是栅源极间的电压,Vg是栅极电压,Vd是漏极电压,Vs是源极电压。
栅极的电压大于源极电压时,则源极电压与漏极电压相同,及三极管导通.如果这样的话,当在二进制电路中,若栅极电压和源极电压都
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N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏
N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?
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