作业帮如何区分TTL电路和CMOS电路?
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：综合作业 时间：2024/07/01 12:42:52
如何区分TTL电路和CMOS电路?
CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成
COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V）,TTL只能在5V下工作
CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差
CMOS功耗很小,TTL功耗较大（1～5mA/门）
CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当.
功耗
TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比,是较大的,约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流,引起较大的动态功耗.
速度
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路.影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值.电阻数值越大,工作速度越低.管子的开关时间越长,门的工作速度越低.门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd.将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）.与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL.CL是主要影响器件工作速度的原因.由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒.
COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V）,TTL只能在5V下工作
CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差
CMOS功耗很小,TTL功耗较大（1～5mA/门）
CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当.
功耗
TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比,是较大的,约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流,引起较大的动态功耗.
速度
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路.影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值.电阻数值越大,工作速度越低.管子的开关时间越长,门的工作速度越低.门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd.将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）.与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL.CL是主要影响器件工作速度的原因.由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒.