作业帮 > 物理 > 作业

N型单晶硅制备过程中的电阻控制,尤其是高阻的电阻控制,

来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:物理作业 时间:2024/11/09 05:58:14
N型单晶硅制备过程中的电阻控制,尤其是高阻的电阻控制,
由于N型单晶大多是掺磷的,但是磷具有很强的挥发性,所以电阻很不好控制.
目前国内大多采用引径前复测电阻的方式确保头部高阻部分的准确,对于尾部电阻的控制,这要看合同的要求,按照N型头尾电阻之比,既然总工能接这样的合同,一般情况下,一次引放,整根拉直完成的话,基本能符合要求.如果运行时间长,不能成晶就要复测电阻.
总之一句话,多测几次,如果是实验拉直,不妨在固定的阶段和时间点测电阻,就可以凭经验把握电阻率的变化了.
再问: 你好,感觉你的回答在卖关子,你说的这些都是套话啊,没有实质意义,并且我也懂,但是你忽略了时间问题,就是引晶前测电阻至等径开始,挥发同样存在,所以还是希望能提供实质解决办法。谢谢
再答: 呵呵,实践是检验真理的唯一标准。其实大家的理论否差不多,重要的是经验,有条件你就试,只有自己的一手数据才是直接的。 如果一次引放成功,它的挥发量几乎没有影响,如果引放时间超过3h,一般也就引放2次,建议测提出来的渣盖。如果大于6h,一般引放也就4次,需要放单晶的盖子进行复测。 磷是挥发很强,但是毕竟炉内是真空啊,电阻的变化率也没有你想象的那么厉害,理论上N型头尾电阻之比1:3.8;考虑挥发,一般n型的头尾电阻之比大概是1:7.5左右。当然与时间也有关系。 举个例子吧,如果合同要求电阻1-10,就敢接。 还有,如果你真的做了实验的话,就会发现,横向电阻均匀性、寿命的控制才是难点、。 我也是半斤八两,误见效。
再问: 看来都是同行,目前电阻均匀性及少子寿命的控制,对我已经不是难题,我是搞技术的。 N型20Ω以内的头部电阻控制,对我也不是难题;目前对N型高阻的控制,我还没有搞定,就比如说50-20的产品,头部电阻随机性很大,总是在50-45之间波动,因为分凝原理,所以会影响拉晶长度,所以我的问题其实就是,针对高阻产品的拉制,头部电阻的控制,我希望控制在2-3范围内,即50±2以内的方法。
再答: 看来您是专家,您的问题我是没办法解答了,因为你说的确实是个难点,我们现在有一个专门的团队在主要攻克N型的问题,改天我给你问问去... 我也是做技术。 您是哪家公司?方便透露否?
再问: 隆基,知道不
再答: 银川隆基还是宁夏隆基 白喜军还是李迎春
再问: 呵呵,看来这两位的知名度很大啊,您是?
再答: 不是? 那是苏波? 周锐? 半导体还是研究室?? 嘿嘿,不告诉你。、 采纳吧
再问: 你都离开这个行业了,还装啥,我都忍不住了。
再答: 阿斌.........
再问: 你可以把技术部的人全部猜一遍
再答: 不说了 ,赶紧给个最佳,外加100分!