作业帮MN PQ边长为A的正方形导线框从磁场下落 感应电流随时间T
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：物理作业 时间：2024/07/18 00:23:13
MN PQ边长为A的正方形导线框从磁场下落 感应电流随时间T
MN、PQ是水平方向的匀强磁场的上下边界,磁场宽度为L．一个边长为a的正方形导线框（L>2a）从磁场上方下落,运动过程中上下两边始终与磁场边界平行．线框进入磁场过程中感应电流i随时间t变化的图象如右图所示,则线框从磁场中穿出过程中线框中感应电流i随时间t变化的图象可能是以下的哪一个（ ）
答案是B,为什么有谁可以告诉我,拜托写出分析过程……
MN、PQ是水平方向的匀强磁场的上下边界,磁场宽度为L．一个边长为a的正方形导线框（L>2a）从磁场上方下落,运动过程中上下两边始终与磁场边界平行．线框进入磁场过程中感应电流i随时间t变化的图象如右图所示,则线框从磁场中穿出过程中线框中感应电流i随时间t变化的图象可能是以下的哪一个（ ）
答案是B,为什么有谁可以告诉我,拜托写出分析过程……
线框进入磁场过程中感应电流i随时间t变化的图象如右图所示,说明在进入的过程中,重力和安培力正好相等,所以匀速下落,当全部进入后,磁通量不变,不产生感应电流,下落速度增大,当穿出时,下边在切割磁感线,产生感应电流,并且比在上面时大,所以此时安培力大于重力,所以线圈做减速运动,电流减少!所以选B!
还有问题吗?
再问： 为什么I要大于I0呢C怎么不对
再答： 因为速度大，根据E=blv知道v大，电动势大，电流也就大！！明白了吗？
再问： 那I可不可以小于IO呢？谢谢你的回答你的物理很好吧能告诉我你的QQ吗？以后我有问题好问你可以吗？还有那个安培力不可能大于重力吧 只能说下面的安培力大于上面的安培力 请解释下行吗？3Q
再答： 没事，有问题多问，有问题多问，i不可能少于i0，因为全部进入后，由于重力，一定加速。 安倍力可以大于重力，当速度足够大时，产生的电动势足够大，就可能安培力大于重力！！！有问题可以直接找我留言，高中物理问题都可以！！！
还有问题吗?
再问： 为什么I要大于I0呢C怎么不对
再答： 因为速度大，根据E=blv知道v大，电动势大，电流也就大！！明白了吗？
再问： 那I可不可以小于IO呢？谢谢你的回答你的物理很好吧能告诉我你的QQ吗？以后我有问题好问你可以吗？还有那个安培力不可能大于重力吧 只能说下面的安培力大于上面的安培力 请解释下行吗？3Q
再答： 没事，有问题多问，有问题多问，i不可能少于i0，因为全部进入后，由于重力，一定加速。 安倍力可以大于重力，当速度足够大时，产生的电动势足够大，就可能安培力大于重力！！！有问题可以直接找我留言，高中物理问题都可以！！！
MN PQ边长为A的正方形导线框从磁场下落 感应电流随时间T
如图（甲）所示，MN、PQ是水平方向的匀强磁场的上下边界，磁场宽度为L.一个边长为a的正方形导线框（L＞2a）从磁场上方
如图所示,电阻为R,质量为m,边长为L的正方形导线圈,从距匀强磁场上边界h高处自由下落,当线圈的cd边已进入磁场而线圈的
如图所示,虚线框abcd内为边长均为L的正方形匀强电场和匀强磁场区域 能从PQ边离开
如图所示，正方形导线框abcd的质量为m、边长为l，导线框的总电阻为R．导线框从垂直纸面向里的水平有界匀强磁场的上方某处
如图所示,正方形导线框abcd的质量为m、边长为l,导线框的总电阻为R.导线框从垂直纸面向里的水平有界匀强磁场的上方某处
用均匀导线做成的正方形线框边长为0.2m，正方形的一半放在垂直于纸面向里的匀强磁场中，如图所示．当磁场以10T/s的变化
垂直在匀强磁场中的正方形边长一米匀强磁场的磁感应强度每秒增加0.5T每米导线电阻为5欧求感应电动势
边长为a的正方形导线框在光滑水平面上以初速度v0进入有界磁场，匀强磁场的宽度L＞a，如图所示，则线框进入该磁场后的感应电
电阻为R的正方形导线框,边长为l,在磁感应强度为B,方向水平享有的匀强磁场中,在t=0时,现况所在平面与磁场垂直,线框处
粗细均匀的电阻丝电阻为R,围成n匝边长为a的正方形线框置于有界匀强磁场中,磁场分界线MN位于线框中央,左右两边磁场的磁感
如图所示,将边长为a,质量为m,电阻为r的正方形导线框竖直向上抛出,穿过宽度为b,磁感应强度为B的匀强磁场,磁场的方向垂