（2009•盐城模拟）在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：物理作业时间：2024/07/13 21:20:58

（2009•盐城模拟）在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压U_H，称为霍尔电压．
（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高？
（2）试证明：U_H=K

（1）根据左手定则，电子向N端偏转，则M点电势高                         ①
（2）设前后两个表面相距为L，电子所受的电场力等于洛仑兹力
e
UH
L＝evB                      ②
设材料单位体积内电子的个数为n，材料截面积为s
I=nesv                       ③
s=dL　　　　　　　　　　　　　　　④
由②③④得：
UH＝
BI
ned                     ⑤

令k＝
1
ne，则   UH＝k
BI
d       ⑥

（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度
答：（1）M点电势高．
（2）证明如上所示．
（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度

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